腦疝這樣的嚴重疾病發生之后不僅不好康復，而且人們想要一房也是存在著一定的困難，對于腦山這樣的疾病更加有必要都去了解相關的常識，那么有必要先來了解一下腦疝疾病的患病原因到底有什么呢!

顱內任何體積較大的占位病變引起顱腔內壓力分布不均時都可引起腦疝。病變在幕上者引起小腦幕切跡疝，病變在幕下者引起枕骨大孔疝。引起腦疝的常見病變有：

一：損傷引起的各種顱內血腫

如急性硬腦膜外血腫、硬腦膜下血腫、腦內血腫等;

二：各種顱內腫瘤

各種顱內腫瘤特別是位于一側大腦半球的腫瘤和顱后窩腫瘤;

三：顱內膿腫

四：顱內寄生蟲病及其他各種慢性肉芽腫。

在上述病變的基礎上如再附加一些人為的因素，例如作腰椎穿刺釋放過多的腦脊液，使顱腔與椎管之間、幕上分腔與幕下分腔之間的壓力差增大，可促使腦疝的形成。這種由于醫源性因素造成的腦疝，臨床醫師應予避免。

誘發小兒腦癱的病因包括那幾方面的：

一、 1.遺傳因素：近年來的研究認為，遺傳因素在小兒腦癱中影響越來越重要，如近親有癲癇、腦癱及智能低下中的2種因素者占腦癱的65%。還有就是染色體異常。

2.母體因素：母親智力低下是腦癱最主要的危險因素，占腦癱的2.7‰。其次的危險因素是母親分娩過程障礙。母親患癲癇、孕前患甲亢，或有兩次以上死胎者與腦癱明顯相關。

二、1.分娩因素 2.妊娠期因素

(1)母體遭受感染：母體在胚兒期遭受風疹、巨細胞病毒、弓形體病、梅毒、單純皰疹病毒、EB病毒等感染通過胎盤侵及胎兒產生先天性感染與畸形。

(2)妊娠時的環境因素：胚胎在母體子宮內發育時，極易受外界環境因素如物理、化學或生物因子的影響，尤其對8周以內的胚胎更為敏感，引起胚胎的分化發育障礙，產生先天性畸形。

三.物理因素

最常見的物理性致畸因子有射線、機械因素、高溫、嚴寒、微波、缺氧等。

a.射線

X線和放射性同位素的α、β、γ射線對人胚神經系統發育有致畸作用，當小于3個月的胎兒受輻照的劑量超過25cGy時，可增加胎兒畸形或死亡的危險。

b.高溫

高溫對早期胚胎神經系統發育有致畸作用。當受精后20～28天期間，孕婦如發燒至39℃以上時，胎兒容易出現后頭部腦疝畸形，而在妊娠4～14周時孕婦接觸高溫后，胎兒出生后可出現精神呆滯，肌張力低下等中樞神經系統損害。

2.化學因素

許多藥物和環境污染物對胎兒發育有致畸作用。這和藥物的性質、毒性、劑量、給藥方式、作用時間等有關，也和胚胎月齡有關。致畸藥物的種類繁多，常見的有：抗腫瘤藥、抗凝血藥、有機汞、酒精等。

(3)母體患慢性疾病：妊娠期的低氧血癥、營養障礙，是直接或間接導致腦性癱瘓的原因。如妊娠高血壓綜合征、心力衰竭、大出血、休克、重度貧血、胎盤異常、糖尿病、肺結核、慢性肝炎、慢性腎炎等。

在認真的看完了文章內容的講述之后，人們對于腦疝疾病的病理病因有了了解，能夠了解了腦疝疾病的病理病因才能夠幫助人們更好的去避免誘發因素做好積極的預防工作，爭取使每個人真正有效的遠離腦疝疾病，愿每一個人都能夠擁有健康。